为什么硅二极管优于锗二极管？

硅二极管和锗二极管的死区电压的典型值约为多少

实际电路中二极管导通时的正向压降硅管一般取（），锗管一般为（）

下列说法正确的是（)①硅二极管的死区电压是0.5V左右②锗二极管的死区电压是0.1V左右③硅二极管的死区电压是0.1左右④锗二极管的死区电压是0.5V左右

半导体二极管按（）划分，可分为锗二极管和硅二极管两种

在常温下，硅二极管的死区电压约为()V，导通后正向压降约为()V;锗二极管的死区电压约为()V，导通后正向压降约为()V。

硅二极管的反向电流比锗二极管小。（)

按晶体二极管所用的材料可分为锗二极管和硅二极管两类。（)

当硅二极管处于()时，呈低阻值状态，当硅二极管处于()，呈高阻值状态。

硅二极管的开启电压为0.5V左右，锗二极管为0.1V左右。（)

在相同大小的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常高于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性较差。（)