题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
下列说法正确的是（)①硅二极管的死区电压是0.5V左右②锗二极管的死区电压是0.1V左右③硅二极管的死区电压是0.1左右④锗二极管的死区电压是0.5V左右
A.①、②
B.①、③
C.②、④
D.③、④
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第5题
在常温下，硅二极管的死区电压约为()V，导通后正向压降约为()V;锗二极管的死区电压约为()V，导通后正向压降约为()V。
在常温下，硅二极管的死区电压约为（)V，导通后正向压降约为（)V;锗二极管的死区电压约为（)V，导通后正向压降约为（)V。
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第8题
在室温(27度)时，锗二极管的死区电压约()V，导通后在较大电流下的正向压降约()V;硅二极管的死区电压约()V，导通后在较大电流下的正向压降约()V。
在室温（27度)时，锗二极管的死区电压约（)V，导通后在较大电流下的正向压降约（)V;硅二极管的死区电压约（)V，导通后在较大电流下的正向压降约（)V。
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