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[主观题]
在常温下，硅二极管的死区电压约为()V，导通后正向压降约为()V;锗二极管的死区电压约为()V，导通后正向压降约为()V。
在常温下，硅二极管的死区电压约为（)V，导通后正向压降约为（)V;锗二极管的死区电压约为（)V，导通后正向压降约为（)V。
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第1题
在室温(27度)时，锗二极管的死区电压约()V，导通后在较大电流下的正向压降约()V;硅二极管的死区电压约()V，导通后在较大电流下的正向压降约()V。
在室温（27度)时，锗二极管的死区电压约（)V，导通后在较大电流下的正向压降约（)V;硅二极管的死区电压约（)V，导通后在较大电流下的正向压降约（)V。
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第3题
从晶体管的输入特性可知，晶体管存在死区电压。硅管的死区电压约为()，锗管约为();晶体管在导通之后，管压降UBE变化不大，硅管的UBE约为()、锗管的UBE约为()。
从晶体管的输入特性可知，晶体管存在死区电压。硅管的死区电压约为（)，锗管约为（);晶体管在导通之后，管压降UBE变化不大，硅管的UBE约为（)、锗管的UBE约为（)。
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第9题
在二极管加有正向电压，当电压值较小时，电流极小；当电压超过0.6V时，电流开始按指数规律增大，通常称此为二极管的开启电压；当电压达到约0.7V时，二极管处于完全导通状态，通常称此电压为二极管的导通电压，用符号UD表示 。对于锗二极管，开启电压为0.2V，导通电压UD约为0.3V（）
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