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[判断题]

在相同大小的反向电压作用下,硅二极管的反向饱和电流常高于锗二极管的反向饱和电流,所以硅二极管的热稳定性较差。()

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第1题

硅二极管的反向电流比锗二极管小。()
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第2题

测量二极管的反向饱和电流时,反向电压增加时,反向电流()

A.不变

B.增大

C.减小

D.不一定

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第3题

二极管的反向饱和电流在室温20oC时是5μA,温度每升高10oC,其反向饱和电流值增大一倍,当温度为30oC时,反向饱和电流值为()。
二极管的反向饱和电流在室温20oC时是5μA,温度每升高10oC,其反向饱和电流值增大一倍,当温度为30oC时,反向饱和电流值为()。

A、5μA

B、10μA

C、20μA

D、30μA

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第4题

硅二极管,它在反向电压下的漏电流比锗管小得多,但导通电压较高,约()V

A.0.3

B.0.7

C.1

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第5题

二极管关断时电流不能立即达到反向饱和电流,反向电流保持不变的这段时间称为()。

A.储存时间

B.下降时间

C.关断时间

D.反向恢复时间

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第6题

当二极管的外加反向电压增加到一定值时,反向电流急剧增加(反向击穿),所以二极管不能工作在反向击穿区。()
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第7题

硅二极管的反向电阻在()以上。

A.1kΩ

B.100kΩ

C.5kΩ

D.500kΩ

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第8题

有一硅二极管正反向电阻接近于无穷大,表明二极管已断路。()
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第9题

硅稳压管电路是利用二极管的()特性工作的

A.正向导通

B.反向截止

C.反向击穿

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第10题

硅稳压管与普通二极管一样,当反向电压达到击穿电压时,将击穿损坏。()
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