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硅二极管的反向电流比锗二极管小。()

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第1题

在相同大小的反向电压作用下,硅二极管的反向饱和电流常高于锗二极管的反向饱和电流,所以硅二极管的热稳定性较差。()
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第2题

按晶体二极管所用的材料可分为锗二极管和硅二极管两类。()
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第3题

硅二极管,它在反向电压下的漏电流比锗管小得多,但导通电压较高,约()V

A.0.3

B.0.7

C.1

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第4题

硅二极管的开启电压为0.5V左右,锗二极管为0.1V左右。()
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第5题

锗、硅二极管的导通电压分别为0.2V、0.5V。()
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第6题

有一硅二极管正反向电阻接近于无穷大,表明二极管已断路。()
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第7题

硅二极管正向导通电压约为0.2~0.3V,锗二极管正向导通电压约为0.6~0.8V。()
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第8题

对二极管模型的描述不正确的是()。

A.二极管小信号模型中的等效电阻值与二极管工作的Q点无关

B.二极管的恒压降模型,硅管导通压降0.7V,锗管导通压降0.2V

C.二极管理想模型,正向偏置时电阻为零,反向偏置时电阻无穷大

D.二极管折线模型,看成是0.5V的电源和一个电阻串联,此时二极管电流大于1mA

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第9题

下列说法正确的是()①硅二极管的死区电压是0.5V左右②锗二极管的死区电压是0.1V左右③硅二极管的死区电压是0.1左右④锗二极管的死区电压是0.5V左右

A.①、②

B.①、③

C.②、④

D.③、④

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第10题

用万用表测量小功率二极管时,不要把万用表的旋钮拨到电阻RXl00挡测量二极管的正反向电阻值,因为R×l00挡电流较大易损坏二极管。()
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