实际电路中二极管导通时的正向压降硅管一般取（），锗管一般为（）

在常温下，硅二极管的死区电压约为（)V，导通后正向压降约为（)V;锗二极管的死区电压约为（)V，导通后正向压降约为（)V。

A.二极管小信号模型中的等效电阻值与二极管工作的Q点无关

B.二极管的恒压降模型，硅管导通压降0.7V，锗管导通压降0.2V

C.二极管理想模型，正向偏置时电阻为零，反向偏置时电阻无穷大

D.二极管折线模型，看成是0.5V的电源和一个电阻串联，此时二极管电流大于1mA

在室温（27度)时，锗二极管的死区电压约（)V，导通后在较大电流下的正向压降约（)V;硅二极管的死区电压约（)V，导通后在较大电流下的正向压降约（)V。

从晶体管的输入特性可知，晶体管存在死区电压。硅管的死区电压约为（)，锗管约为（);晶体管在导通之后，管压降UBE变化不大，硅管的UBE约为（)、锗管的UBE约为（)。

使用数字万用表“二极管档”检查二极管的好坏，当二极管正接时显示的数值为二极管的（)值。

A、正向电阻

B、正向电流

C、正向压降

D、正向管耗

在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V，－10V，－9.3V，则此三极管是（)。

A、NPN型硅管;

B、NPN型锗管;

C、PNP型硅管;

D、PNP型锗管;