三极管具有（)的特点。

A.发射区重掺杂,基区很薄且轻掺杂,集电区面积大且掺杂较发射区轻;

B.集电区重掺杂,基区很薄且轻掺杂,发射区面积大且掺杂较集电区轻;

C.基区重掺杂,集电区很薄且轻掺杂,发射区面积大且掺杂较基区轻;

D.发射区重掺杂,集电区很薄且轻掺杂,基区面积大且掺杂较发射区轻。

A、发射区过高掺杂会使发射区迁移率降低

B、发射区过高掺杂会使发射区禁带宽度减小

C、发射区过高掺杂易发生基区大注入效应

D、发射区过高掺杂易诱发基区穿通

A.发射区与基区交界处的PN结为发射结

B.基区与集电区交界处的PN结为发射结

C.发射区与基区交界处的PN结为集电结

D.发射区与集电区交界处的PN结为集电结

A.沟道长度越长，衬底掺杂浓度越大

B.沟道长度越长，衬底掺杂浓度越小

C.沟道长度越短，衬底掺杂浓度越大

D.沟道长度越短，衬底掺杂浓度越小

A.与掺杂浓度和温度无关

B.只与掺杂浓度有关

C.只与温度有关

D.与掺杂浓度和温度有关

A.费米能级随掺杂浓度的增加向价带顶移动

B.费米能级随掺杂浓度的增加向导带底移动

C.费米能级随掺杂浓度的增加向禁带中线移动

D.费米能级随掺杂浓度的增加向施主能级移动

A.温度

B.掺杂工艺

C.掺杂浓度

D.晶格缺陷

A.发射区重掺杂导致杂质能级分裂，禁带宽度变窄，增大

B.发射区重掺杂导致电子浓度升高，增大，发射效率提高

C.俄歇复合增强，空穴寿命减小，扩散长度减小，增大

D.考虑发射效率公式，放大系数减小

A.减少在基区中复合的电子数

B.使得从发射区注入基区的载流子绝大部分可到达集电区

C.基区中空穴的扩散长度很小

D.使绝大多数电子可通过基区达到集电结边界