题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

NPN双极型晶体管具有放大作用,要求基区宽度足够小。原因不包括()。

A.减少在基区中复合的电子数

B.使得从发射区注入基区的载流子绝大部分可到达集电区

C.基区中空穴的扩散长度很小

D.使绝大多数电子可通过基区达到集电结边界

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第1题

双极型晶体管具有电流放大能力的条件不包括()。

A.基区宽度足够小

B.发射结正偏

C.集电结反偏

D.发射结及集电结的结电阻足够小

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第2题

以下各项中,不能提高双极型晶体管电流放大系数的措施是()。

A.降低发射区与基区的方块电阻之比

B.减小基区宽度

C.减小基区自建电场因子

D.提高基区少子寿命和迁移率

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第3题

双极型晶体管大注入时,将引起基区电导()。

A.增加

B.减少

C.先增加后减少

D.不变

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第4题

以NPN型漂移晶体管为例,基区内建电场的存在加速了在基区中的运动,该载流子做运动。()

A.电子,扩散

B.电子,漂移

C.电子,漂移和扩散

D.空穴,漂移

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第5题

由于双极型晶体管有效基区宽度的变化,引起基区中少子积累的变化,反应出()的充放电效应。

A.集电结势垒电容

B.集电结扩散电容

C.发射结势垒电容

D.发射结扩散电容

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第6题

对于漂移晶体管,为提高电流放大系数,可以考虑降低发射区与基区的方块电阻之比,减小基区宽度,提高基区自建电场因子,提高基区少子寿命和迁移率等措施。()
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第7题

考虑Early效应对双极型晶体管共基极连接使用的影响,以下说法中不正确的是()。

A.工作在线性放大区时,集电极电流略有增加

B.基区有效宽度减小

C.基区少子浓度梯度增大

D.输出特性曲线左移

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第8题

双极型晶体管基区渡越时间指的是粒子越过基区所需的不同时间的()。

A.最大值

B.最小值

C.平均值

D.总值

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第9题

以npn型双极型晶体管为例,以下关于发射区重掺杂效应的说法中错误的是()。

A.发射区重掺杂导致杂质能级分裂,禁带宽度变窄,增大

B.发射区重掺杂导致电子浓度升高,增大,发射效率提高

C.俄歇复合增强,空穴寿命减小,扩散长度减小,增大

D.考虑发射效率公式,放大系数减小

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第10题

晶体三极管形成原理描述不正确的是()。

A.由于基区很薄,电子和空穴在基区复合的概率较低

B.到达基区的电子很容易穿过集电结

C.到达基区的空穴很容易穿过发射结

D.由于基区很薄,电子和空穴在基区复合的概率较高

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