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以npn型双极型晶体管为例,以下关于发射区重掺杂效应的说法中错误的是()。
A.发射区重掺杂导致杂质能级分裂,禁带宽度变窄,增大
B.发射区重掺杂导致电子浓度升高,增大,发射效率提高
C.俄歇复合增强,空穴寿命减小,扩散长度减小,增大
D.考虑发射效率公式,放大系数减小
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A.发射区重掺杂导致杂质能级分裂,禁带宽度变窄,增大
B.发射区重掺杂导致电子浓度升高,增大,发射效率提高
C.俄歇复合增强,空穴寿命减小,扩散长度减小,增大
D.考虑发射效率公式,放大系数减小
第1题
A.发射区重掺杂,基区很薄且轻掺杂,集电区面积大且掺杂较发射区轻;
B.集电区重掺杂,基区很薄且轻掺杂,发射区面积大且掺杂较集电区轻;
C.基区重掺杂,集电区很薄且轻掺杂,发射区面积大且掺杂较基区轻;
D.发射区重掺杂,集电区很薄且轻掺杂,基区面积大且掺杂较发射区轻。
第2题
A、发射区过高掺杂会使发射区迁移率降低
B、发射区过高掺杂会使发射区禁带宽度减小
C、发射区过高掺杂易发生基区大注入效应
D、发射区过高掺杂易诱发基区穿通
第3题
A.费米能级随掺杂浓度的增加向价带顶移动
B.费米能级随掺杂浓度的增加向导带底移动
C.费米能级随掺杂浓度的增加向禁带中线移动
D.费米能级随掺杂浓度的增加向施主能级移动
第5题
A.费米能级表征电子的填充情况,费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小,费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大
B.本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近
C.N型半导体的费米能级比较靠近价带顶
D.N型半导体掺杂越高,费米能级离禁带中央越远
第8题
A.减少在基区中复合的电子数
B.使得从发射区注入基区的载流子绝大部分可到达集电区
C.基区中空穴的扩散长度很小
D.使绝大多数电子可通过基区达到集电结边界
第9题
A.空穴是多数载流子
B.在二极管中,P型半导体一侧接出引线后,是二极管的正极
C.在纯净的硅衬底上,掺杂五价元素,可形成P型半导体
D.在NPN型的晶体管中,基区正是由P型半导体构成
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