晶体三极管形成原理描述不正确的是（)。

A.减少在基区中复合的电子数

B.使得从发射区注入基区的载流子绝大部分可到达集电区

C.基区中空穴的扩散长度很小

D.使绝大多数电子可通过基区达到集电结边界

A.电子，扩散

B.电子，漂移

C.电子，漂移和扩散

D.空穴，漂移

A、磁敏三极管的长基区包括运输基区和复基区,其中复合基区的侧面有一个复合率很高的复合区

B、磁敏三极管的基区宽度比普通的三极管大

C、磁敏三极管的基区电流具有磁灵敏度

D、磁敏三极管的电流放大系数大于1

A.电子，扩散

B.电子，漂移和扩散

C.空穴，扩散

D.空穴，漂移和扩散

A.发射区重掺杂,基区很薄且轻掺杂,集电区面积大且掺杂较发射区轻;

B.集电区重掺杂,基区很薄且轻掺杂,发射区面积大且掺杂较集电区轻;

C.基区重掺杂,集电区很薄且轻掺杂,发射区面积大且掺杂较基区轻;

D.发射区重掺杂,集电区很薄且轻掺杂,基区面积大且掺杂较发射区轻。

A.发射区与基区交界处的PN结为发射结

B.基区与集电区交界处的PN结为发射结

C.发射区与基区交界处的PN结为集电结

D.发射区与集电区交界处的PN结为集电结

A.降低发射区与基区的方块电阻之比

B.减小基区宽度

C.减小基区自建电场因子

D.提高基区少子寿命和迁移率