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[判断题]

电子在基区中扩散和复合形成基极电流Ib。()

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第1题

晶体三极管形成原理描述不正确的是()。

A.由于基区很薄,电子和空穴在基区复合的概率较低

B.到达基区的电子很容易穿过集电结

C.到达基区的空穴很容易穿过发射结

D.由于基区很薄,电子和空穴在基区复合的概率较高

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第2题

NPN双极型晶体管具有放大作用,要求基区宽度足够小。原因不包括()。

A.减少在基区中复合的电子数

B.使得从发射区注入基区的载流子绝大部分可到达集电区

C.基区中空穴的扩散长度很小

D.使绝大多数电子可通过基区达到集电结边界

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第3题

以NPN型漂移晶体管为例,基区内建电场的存在加速了在基区中的运动,该载流子做运动。()

A.电子,扩散

B.电子,漂移

C.电子,漂移和扩散

D.空穴,漂移

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第4题

以npn晶体管为例,内建电场的存在加速了()在基区中的运动,该载流子做()运动。

A.电子,扩散

B.电子,漂移和扩散

C.空穴,扩散

D.空穴,漂移和扩散

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第5题

关于磁敏三极管的不正确描述是()。
关于磁敏三极管的不正确描述是()。

A、磁敏三极管的长基区包括运输基区和复基区,其中复合基区的侧面有一个复合率很高的复合区

B、磁敏三极管的基区宽度比普通的三极管大

C、磁敏三极管的基区电流具有磁灵敏度

D、磁敏三极管的电流放大系数大于1

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第6题

晶体管基区中少子积累的变化在发射结电容充放电完成__发生,基极电流的相位__于发射极电流的变化。

A.之前,超前

B.之前,滞后

C.之后,超前

D.之后,滞后

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第7题

考察PNP型双极型晶体管内部载流子的输运过程,发射效率项定义为注入到基区的电子电流与发射极总电流之比。()
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第8题

对于漂移晶体管,为提高电流放大系数,可以考虑降低发射区与基区的方块电阻之比,减小基区宽度,提高基区自建电场因子,提高基区少子寿命和迁移率等措施。()
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第9题

在金属导体中,电流是电子在外电场力作用下的定向运动而形成的()
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第10题

在半导体中.漂移电流是在()作用下形成的,扩散电流是在()作用下形成的。
在半导体中.漂移电流是在()作用下形成的,扩散电流是在()作用下形成的。

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