下列关于晶体三极管说法证确的是（)。

A.发射区重掺杂,基区很薄且轻掺杂,集电区面积大且掺杂较发射区轻;

B.集电区重掺杂,基区很薄且轻掺杂,发射区面积大且掺杂较集电区轻;

C.基区重掺杂,集电区很薄且轻掺杂,发射区面积大且掺杂较基区轻;

D.发射区重掺杂,集电区很薄且轻掺杂,基区面积大且掺杂较发射区轻。

A.发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度

B.基区非常薄

C.集电区掺杂浓度较小，集电结的面积比发射结的面积大

D.以上三项

A.减少在基区中复合的电子数

B.使得从发射区注入基区的载流子绝大部分可到达集电区

C.基区中空穴的扩散长度很小

D.使绝大多数电子可通过基区达到集电结边界

A.由于基区很薄，电子和空穴在基区复合的概率较低

B.到达基区的电子很容易穿过集电结

C.到达基区的空穴很容易穿过发射结

D.由于基区很薄，电子和空穴在基区复合的概率较高

A.降低发射区与基区的方块电阻之比

B.减小基区宽度

C.减小基区自建电场因子

D.提高基区少子寿命和迁移率

A.采用离子注入工艺降低晶体管的基区宽带Wb

B.降低基区两端杂质浓度比以提高电场因子

C.减小发射结和集电结面积以减小电容

D.适当降低集电区电阻率和厚度