关于强电离区，以下说法正确的是：（)。

A.低温区，载流子浓度随温度按指数规律变化

B.强电离区，载流子浓度不随温度变化

C.本征激发区，载流子浓度随温度按指数规律变化

D.强电离区，载流子浓度随温度按指数规律变化

E.本征激发区，载流子浓度不随温度变化

F.低温区，载流子浓度不随温度变化

A.半导体器件一般工作在本征激发区

B.半导体器件一般工作在强电离区

C.杂质半导体处于强电离状态时，其载流子浓度基本不变

D.当温度较低时，n型半导体费米能级位于禁带中线

A.先增大(考虑杂质电离和电离杂质散射)，后减小(考虑晶格振动散射)，再增大(考虑本征激发)

B.先增大(考虑杂质电离和晶格振动散射)，后减小(考虑晶格振动散射)，再增大(考虑本征激发)

C.先减小(考虑晶格振动散射)，后增大(考虑本征激发)，再减小(考虑晶格振动散射)

D.先增大(晶格振动散射)，后减小(考虑杂质电离和电离杂质散射)，再增大(考虑本征激发)

A.先增大(考虑杂质电离和电离杂质散射)，后减小(考虑晶格振动散射)，再增大(考虑本征激发)

B.先增大(考虑杂质电离和晶格振动散射)，后减小(考虑晶格振动散射)，再增大(考虑本征激发)

C.先减小(考虑晶格振动散射)，后增大(考虑本征激发)，再减小(考虑晶格振动散射)

D.先增大(晶格振动散射)，后减小(考虑杂质电离和电离杂质散射)，再增大(考虑本征激发)

A.浅能级杂质的电离

B.深能级杂质的电离

C.本征激发

D.本征吸收

B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体

C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体

D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体

E、n型半导体依靠导带电子导电

F、p型半导体依靠价带空穴导电

G、本征半导体中载流子由本征激发产生

H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度

I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子

J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴

K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生

L、杂质半导体中也存在本征激发的过程

A.受主杂质电离

B.施主杂质电离

C.本征激发

D.杂质散射

A.本征半导体的载流子浓度来源于本征激发

B.本征半导体，电子浓度等于空穴浓度

C.本征半导体的载流子浓度与温度无关

D.一定温度下，半导体的禁带宽度越大，本征载流子浓度越小

A.是电离度两倍

B.是己电离阴，阳离子浓度之积与分子浓度之比

C.与溶液的浓度有关

D.与溶液的温度无关

A、低温弱电离区

B、中等电离区

C、过渡区

D、本征区