关于本征半导体，下列说法哪些是正确的（)？

A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体

B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体

C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体

D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体

E、n型半导体依靠导带电子导电

F、p型半导体依靠价带空穴导电

G、本征半导体中载流子由本征激发产生

H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度

I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子

J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴

K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生

L、杂质半导体中也存在本征激发的过程

A.导带的电子浓度等于价带的空穴浓度

B.导带的电子浓度大于价带的空穴浓度

C.导带的电子浓度小于价带的空穴浓度

D.电子浓度和空穴浓度均为0

A.半导体器件一般工作在本征激发区

B.半导体器件一般工作在强电离区

C.杂质半导体处于强电离状态时，其载流子浓度基本不变

D.当温度较低时，n型半导体费米能级位于禁带中线

A.本征半导体中掺入施主杂质

B.半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，且施主浓度大于受主浓度

C.半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，且施主浓度小于受主浓度

D.半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，且施主浓度等于受主浓度

E.本征半导体中掺入受主杂质

A.无外界作用

B.有确定的载流子浓度

C.有统一的费米能级

D.载流子浓度的乘积等于本征载流子浓度的平方

E.导带和价带之间没有统一的费米能级

F.载流子浓度的乘积不等于本征载流子浓度的平方G、有非平衡载流子

A.本征跃迁是本征吸收的逆过程

B.对于直接禁带半导体，其本征跃迁为直接跃迁

C.直接跃迁过程中只有光子和电子参与

D.对于间接禁带半导体，其本征跃迁是间接跃迁

E.间接跃迁过程中除了有光子和电子参与外，还有声子参与

F.间接跃迁的几率比直接跃迁的几率小得多

N 型半导体是在本征半导体中掺入了（)价元素的原子，P 型半导体是在本征半导体中掺入了（)价元素的原子。N型半导体是在本征半导体中加入（)物质后形成的。

A.有外界作用

B.导带和价带之间没有统一的费米能级

C.载流子浓度的乘积不等于本征载流子浓度的平方

D.导带和价带之间有统一的费米能级

E.不存在非平衡载流子

F.载流子浓度的乘积等于本征载流子浓度的平方