对均匀半导体施加均匀电场,并在表面光注入非平衡载流子,此时半导体中的载流子运动不包括:()。
A.平衡载流子(电子和空穴)的扩散运动
B.平衡载流子(电子和空穴)的漂移运动
C.非平衡载流子(电子和空穴)的漂移运动
D.非平衡载载流子(电子和空穴)的扩散运动
A.平衡载流子(电子和空穴)的扩散运动
B.平衡载流子(电子和空穴)的漂移运动
C.非平衡载流子(电子和空穴)的漂移运动
D.非平衡载载流子(电子和空穴)的扩散运动
第1题
B、载流子在浓度梯度作用下作扩散运动
C、迁移率表示载流子在电场作用下作漂移运动的强弱程度
D、扩散系数表示载流子在浓度梯度作用下作扩散运动的强弱程度
E、爱因斯坦关系式体现了非简并情况下载流子迁移率和扩散系数之间的关系
F、只有载流子的漂移运动会形成电流,载流子的扩散运动不形成电流
G、载流子的扩散运动也是定向运动,也会形成电流
H、在均匀半导体中,如果没有产生非平衡载流子,则不存在载流子的扩散运动
I、在均匀半导体中,如果在材料的局部区域产生非平衡载流子,则非平衡载流子作扩散运动
J、非均匀半导体中,没有外加电场时,如果没有产生非平衡载流子,则平衡态载流子作扩散运动和漂移运动
K、在电场作用下,材料中所有的载流子都作漂移运动
第2题
A.载流子在浓度梯度作用下的定向运动
B.均匀掺杂的半导体,处于热平衡状态时,不产生扩散运动
C.不论是平衡载流子还是非平衡载流子,只要存在浓度梯度,都会产生扩散运动
D.载流子在电场作用下的定向运动
E.载流子的无规则热运动
F.扩散运动是平衡载流子的主要运动形式之一
第3题
A.只要用光照射半导体材料,就可以产生非平衡载流子
B.入射光子能量必须大于等于半导体的禁带宽度
C.非平衡电子和空穴成对产生
D.受到入射能量的激发,价带电子跃迁到导带,产生非平衡载流子
第4题
B、半导体处于热平衡状态时,整个材料具有统一的费米能级
C、半导体处于热平衡状态时,载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡
D、在外界作用下,半导体中额外产生了载流子,即非平衡载流子,半导体进入非平衡状态
E、在外界作用下,如果载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡,载流子浓度具有确定的值,此时半导体为热平衡态
F、在外界作用下,稳定时,载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡,载流子浓度具有确定的值,但此时半导体为非平衡态
G、半导体处于非平衡态时,整个材料不具有统一的费米能级
H、半导体处于非平衡态时,导带电子的分布用导带准费米能级表征,价带空穴的分布用价带准费米能级表征
第5题
A.反映了载流子的迁移率和扩散系数之间的关系
B.反映了载流子的漂移运动和扩散运动之间的内在联系
C.仅适用于非简并半导体
D.适用于所有的半导体
E.反映了平衡子载流子运动与非平衡载流子运动之间的关系
F.反映了扩散长度与扩散系数之间的关系
第6题
A.在异质pn结中,由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的少数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
B.在异质pn结中,由窄禁带半导体注入到宽禁带半导体中的少数载流子浓度可超过窄禁带半导体中多数载流子的浓度
C.在异质pn结中,宽禁带半导体的少数载流子注入到窄禁带半导体中,其浓度超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
D.在异质pn结中,由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的多数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
第8题
第9题
A.有外界作用
B.导带和价带之间没有统一的费米能级
C.载流子浓度的乘积不等于本征载流子浓度的平方
D.导带和价带之间有统一的费米能级
E.不存在非平衡载流子
F.载流子浓度的乘积等于本征载流子浓度的平方
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