题目内容
(请给出正确答案)
[单选题]
对于理想MOS结构,同一氧化层厚度下,掺杂浓度越高,归一化平带电容越;同一掺杂浓度下,氧化层厚度越厚,归一化平带电容越()。
A.大,大
B.大,小
C.小,大
D.小,小
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A.大,大
B.大,小
C.小,大
D.小,小
第6题
A.半导体表面强反型时的栅极电压称为阈值电压
B.若金属相比半导体的功函数较小,二者功函数之差越大时,n沟增强型MOSFET的开启电压就越小
C.衬底掺杂浓度越高,沟道越容易进入强反型状态
D.氧化层厚度增加,阈值电压增加
第7题
A.费米能级随掺杂浓度的增加向价带顶移动
B.费米能级随掺杂浓度的增加向导带底移动
C.费米能级随掺杂浓度的增加向禁带中线移动
D.费米能级随掺杂浓度的增加向施主能级移动
第9题
A.减小低掺杂区的掺杂浓度
B.提高P区和N区的掺杂浓度
C.选用禁带宽度高的半导体材料
D.选用本征载流子浓度小的半导体材料
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