存储器容量的扩展方式一般包含（)。

A.位扩展

B.字扩展

C.字和位同时扩展

存储器的扩展有位扩展、字扩展以及（)三种方式。

2片1k×4的存储芯片组成2k×4的存储器属于（)。

A.位扩展

B.字扩展

C.字位同时扩展

D.数据扩展

A.在应力强度因子幅度ΔK值较低时，加载频率对裂纹扩展速度影响较大

B.加载频率越高，裂纹扩展速度越快

C.加载频率越高，裂纹扩展速度越慢

D.加载频率与裂纹扩展速度无关

A.体积

B.存储器容量

C.运算速度

D.外设扩展能力

A.Nb*（Nr+l）

B.Nb*Nr

C.Nb*（Nk+l）

D.Nb*Nk

×16位，其地址线为16位(A15—A0)，数据线也是16位(D15—D0)SRAM芯片容量为16K×8位，其地址线为14位，数据线为8位，因此组成存储器时须字位同时扩展。

A.扩展基础

B.钢筋基础

C.混凝土基础

D.钢筋扩展基础