更多“ 温度的变化造成晶体管参数的改变,易影响高频振荡器的振荡频率…”相关的问题
第1题
Z5~32.电感三点式振荡器的振荡频率比电容三点式振荡器高()
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第2题
温度、晶体管参数及电源电压的变化都会对放大电路静态工作点产生影响,其中影响最大的是温度()
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第3题
在需要较低频率的振荡信号时,常采用LC振荡器。()
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第4题
实验板上单片机的系统振荡频率是在芯片内部RC振荡器产生的。()
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第5题
共发射极连接的晶体管最大功率增益考察的是晶体管的最高振荡频率,和特征频率无关。()
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第6题
因为反馈器件是容性,通常电容三点式振荡器的振荡频率上限比电感三点式要高()
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第7题
DZ-Ⅱ型电子开方器,改变输入电流时,实际上是改变了()
A.振荡器的振荡周期
B.振荡器的间歇时间
C.振荡器直流分量的输出
D.振荡器振荡的幅值
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第8题
正弦波振荡器的振荡频率取决于()
A.电路的放大倍数
B.正反馈的强弱
C.外接电源的大小
D.反馈网络元件参数
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第9题
晶体管工作频率达到fT值时功率增益为1,达到fMAX时仅能维持振荡。()
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第10题
调幅是指高频正弦振荡器的()随低频信号振幅的瞬时值而变化
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