将PN结加适当的正向电压时，空间电荷区将（)。

A.变窄

B.变宽

C.多子扩散

D.少子漂移

A、变宽

B、变窄

C、基本不变

B、基本不变

C、变宽

D、无法确定

A.变宽变大

B.变窄变小

C.变宽变小

D.变窄变大

A.变宽变大

B.变窄变小

C.变宽变小

D.变窄变大

A.在PN结上的正向电压减小

B.在PN结上的反向电压增加

C.使空间电荷区势垒宽度增加

D.使载流子从半导体流入空间电荷区

A.空穴

B.自由电子

C.自由电荷

D.均不参加

A.更低

B.更高

C.不变

D.不确定

A.N区的电子与空间电荷区中的杂质正离子复合，使得空间正电荷区变窄

B.N区的电子顺着外电场方向运动，越过PN结在P区形成非平衡少子电子的浓度分布

C.P区的空穴与空间电荷区中的杂质负离子复合，使得空间负电荷区变窄

D.P区的空穴顺着外电场方向运动，越过PN结在N区形成非平衡少子空穴的浓度分布

A.使电子和空穴从空间电荷区流入两侧半导体中

B.PN结外加正向偏压增大

C.PN结外加反向偏压减小

D.使空间电荷区势垒宽度减小