题目内容
（请给出正确答案）
A、若电离杂质散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而增大
B、若晶格振动散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而减小
C、若温度确定，杂质浓度增大时，电子与空穴的多子、少子迁移率都单调下降
D、若电离杂质散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而减小
E、若晶格振动散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而增大
F、杂质浓度较高时，电子的多子和少子迁移率趋近于相同的值
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第1题
A.若电离杂质散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而增大
B.若晶格振动散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而减小
C.若温度确定，杂质浓度增大时，电子与空穴的多子、少子迁移率都单调下降
D.若电离杂质散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而减小
E.若晶格振动散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而增大
F.杂质浓度较高时，电子的多子和少子迁移率趋近于相同的值
第2题
A.先增大(考虑杂质电离和电离杂质散射)，后减小(考虑晶格振动散射)，再增大(考虑本征激发)
B.先增大(考虑杂质电离和晶格振动散射)，后减小(考虑晶格振动散射)，再增大(考虑本征激发)
C.先减小(考虑晶格振动散射)，后增大(考虑本征激发)，再减小(考虑晶格振动散射)
D.先增大(晶格振动散射)，后减小(考虑杂质电离和电离杂质散射)，再增大(考虑本征激发)
第3题
A.先增大(考虑杂质电离和电离杂质散射)，后减小(考虑晶格振动散射)，再增大(考虑本征激发)
B.先增大(考虑杂质电离和晶格振动散射)，后减小(考虑晶格振动散射)，再增大(考虑本征激发)
C.先减小(考虑晶格振动散射)，后增大(考虑本征激发)，再减小(考虑晶格振动散射)
D.先增大(晶格振动散射)，后减小(考虑杂质电离和电离杂质散射)，再增大(考虑本征激发)
第4题
A.电子在晶格中被格波散射可以看作是电子与声子的相互作用
B.在半导体中起主要散射作用的是长波，而且是纵波
C.声学波散射和光学波散射的散射几率都随温度升高而增大
D.声学波散射和光学波散射的散射几率都随温度升高而降低
E.声学波散射的散射几率随温度升高而增大;光学波散射的散射几率随温度升高而降低
第6题
A.总的散射几率是各种散射机构引起的散射几率之和
B.总的散射几率增大了
C.总的平均自由时间更短了
D.载流子的迁移率更小了
E.总的平均自由时间增大了
F.总的迁移率更大了G、总的散射几率减小了
第8题
A、电离杂质散射
B、光学声子散射
C、声学声子散射
D、中性杂质散射
第9题
B、电离的杂质会引起载流子的散射，从而影响载流子的迁移率
C、中性杂质不会对半导体产生影响
D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场，所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和
E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于杂质的补偿作用，对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差
F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度，由于杂质的补偿作用，该半导体材料属于本征半导体
G、杂质会在半导体的禁带中引入能级
H、如果杂质能级较浅，则杂质易于电离，可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型，如掺入硅中的磷
I、如果杂质能级较深，则杂质不易于电离，可能形成复合中心或陷阱中心
J、如果杂质能级(深能级)的位置在EF附近，该杂质可有效促进载流子的复合，缩短非平衡载流子的寿命，起复合中心的作用，如掺入硅中的金
K、如果杂质能级(深能级)的位置在Ei附近，该杂质可暂时收容非平衡载流子，延长了非平衡载流子的寿命，起陷阱中心的作用
第10题
A.小尺寸器件沟道长度与栅极长度并不完全相等
B.晶格散射导致的载流子迁移率退化
C.小尺寸器件中的纵向电场
D.栅漏电容的米勒效应
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