漂移晶体管的阻滞电场和加速电场是针对基区中的多子而言的。（)

A.电子，扩散

B.电子，漂移

C.电子，漂移和扩散

D.空穴，漂移

A.电子，扩散

B.电子，漂移和扩散

C.空穴，扩散

D.空穴，漂移和扩散

A.降低发射区与基区的方块电阻之比

B.减小基区宽度

C.减小基区自建电场因子

D.提高基区少子寿命和迁移率

A.采用离子注入工艺降低晶体管的基区宽带Wb

B.降低基区两端杂质浓度比以提高电场因子

C.减小发射结和集电结面积以减小电容

D.适当降低集电区电阻率和厚度

A.电场较弱时，载流子的漂移速度与电场强度基本呈线性关系，此时满足欧姆定律

B.电场较强时，载流子的漂移速度随电场增强而增大的速度变慢，偏离线性关系

C.电场很强时，载流子的漂移速度与电场强度无关，达到饱和状态，严重偏离欧姆定律

D.电场较弱时，载流子的漂移速度与电场强度基本呈线性关系，此时偏离欧姆定律

E.电场较强时，载流子的漂移速度随电场增强而增大的速度变慢，满足欧姆定律

F.电场很强时，载流子的漂移速度与电场强度无关，达到饱和状态，复合欧姆定律