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[主观题]
设晶片表面的平均入射声压为P0则理想园平面小缺陷的反射声压PF=P0As·S£¯λ2X2,反射波的声压与缺
设晶片表面的平均入射声压为P0则理想园平面小缺陷的反射声压PF=P0As·S/λ2X2,反射波的声压与缺陷面积S成()比,同时与缺陷距离X的()成反比而()。面积为As的晶片近场距离为N,当距离在1.6N以外时,这个算式可以认为基本上是成立的。
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设晶片表面的平均入射声压为P0则理想园平面小缺陷的反射声压PF=P0As·S/λ2X2,反射波的声压与缺陷面积S成()比,同时与缺陷距离X的()成反比而()。面积为As的晶片近场距离为N,当距离在1.6N以外时,这个算式可以认为基本上是成立的。
第3题
第5题
A、与界面二边材料的声速有关
B、与界面二边材料的密度有关
C、与界面二边材料的声速有关
D、与入射声波波型有关
第9题
A.声压的大小取决于声源与大气压无关
B.一般仪器测得的是有效声压
C.声压级(dB.=20×log(P/Po)(Po为20μPA.
D.声压随时间作周期性的变化
E.声压级是用对数表示的声压值
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