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[单选题]

()是利用外加电场,使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小(绝缘栅型)沟道或改变原来导电的大小(结型)来控制电导率变化的原理制成的

A.半导体二极管;

B.晶体三极管;

C.场效应晶体管;

D.双向晶闸管。

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第1题

场效应晶体管是利用改变平行于导电沟道的电场强度来控制沟道的导电能力而实现放大作用的。()
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第2题

按导电沟道分类,场效应管分为______和______场效应管。N沟道是以N型半导体作为______、电子型载
流子形成电流的场效应管。而P沟道则是以______作为导电沟道、空穴型载流子形成电流的场效应管。

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第3题

在外加栅压为零时,p沟增强型MOS管半导体表面处于()状态,()导电沟道。

A.积累,无

B.耗尽,无

C.反型,有

D.积累,有

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第4题

N沟道增强型绝缘栅场效应管刚产生导电沟道的栅源电压称为______。

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第5题

P沟道增强型绝缘栅场效应管刚产生导电沟道的栅源电压值为______。

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第6题

N沟道增强型绝缘栅场效应管刚产生导电沟道的栅源电压的值为______。

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第7题

栅源电压等于0时没有导电沟道的场效应管是()。

A.耗尽场效应管

B.增强型场效应

C.结型场效应

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第8题

p沟耗尽型MOS管的阈值电压为(),达到阈值电压后,表面为()状态。

A.正值,强反型

B.正值,导电沟道消失

C.负值,强反型

D.负值,导电沟道消失

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第9题

场效应管的类型有()。

A.结型场效应管

B.绝缘栅型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.P沟道增强型MOS管

E.N沟道耗尽型MOS管

F.P沟道耗尽型MOS管

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第10题

若要使PMOS开启,则栅源之间加()电压,半导体表面能带(),反型后形成()沟道。

A.正,下弯,n型

B.负,上弯,n型

C.负,上弯,p型

D.负,下弯,p型

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