半导体晶体缺陷中的宏观缺陷主要有（)。

A.点缺陷

B.位错

C.层错

D.杂质沉淀

A.点缺陷

B.线缺陷

C.面缺陷

D.宏观缺陷

A.没有杂质，没有缺陷的半导体

B.没有杂质的纯净半导体

C.没有缺陷的结构完美的半导体

D.杂质和缺陷数量很多的半导体

A、点缺陷

B、线缺陷

C、断裂

D、面缺陷

A.晶体缺陷

B.杂质浓度

C.温度

D.掺杂工艺

B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体

C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体

D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体

E、n型半导体依靠导带电子导电

F、p型半导体依靠价带空穴导电

G、本征半导体中载流子由本征激发产生

H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度

I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子

J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴

K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生

L、杂质半导体中也存在本征激发的过程

A.按照几何特点，缺陷分为点、线、面三大类

B.间隙原子是点缺陷

C.晶界是面缺陷

D.层错是线缺陷

A、原生长缺陷

B、本征点缺陷

C、间隙杂质原子

D、替位杂质原子

A.总线形

B.星形

C.环形

D.树形

A.温度

B.掺杂工艺

C.掺杂浓度

D.晶格缺陷