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[单选题]

N沟道结型场效应管的夹断电压VP为()。

A.正值

B.负值

C.零

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第1题

p沟耗尽型MOS管的阈值电压为(),达到阈值电压后,表面为()状态。

A.正值,强反型

B.正值,导电沟道消失

C.负值,强反型

D.负值,导电沟道消失

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第2题

场效应管的类型有()。

A.结型场效应管

B.绝缘栅型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.P沟道增强型MOS管

E.N沟道耗尽型MOS管

F.P沟道耗尽型MOS管

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第3题

当工作在恒流区时,N沟道结型场效应管栅极电位()源极电位,PN结()。

A.大于,正偏

B.小于,反偏

C.等于,零偏压

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第4题

一个场效应管的转移特性曲线如图所示,试问:(1)它是N沟道还是P沟道的FET?(2)它的夹断电压uP

一个场效应管的转移特性曲线如图所示,试问:

(1)它是N沟道还是P沟道的FET?

(2)它的夹断电压uP和饱和漏极电流IDSS各是多少?

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第5题

结型场效应管是耗尽型场效应管,有______和______2种沟道。

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第6题

按导电沟道分类,场效应管分为______和______场效应管。N沟道是以N型半导体作为______、电子型载
流子形成电流的场效应管。而P沟道则是以______作为导电沟道、空穴型载流子形成电流的场效应管。

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第7题

p沟增强型MOS管的开启电压为___,沟道中导电载流子为___。

A.正值,电子

B.正值,空穴

C.负值,电子

D.负值,空穴

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第8题

()具有不同的低频小信号电路模型

A.NPN型管和PNP型管

B.增强型场效应管和耗尽型场效应管

C.N沟道场效应管和P沟道场效应管

D.晶体管和场效应管

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第9题

栅源电压等于0时没有导电沟道的场效应管是()。

A.耗尽场效应管

B.增强型场效应

C.结型场效应

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第10题

N沟道JFET的输出特性和转移特性与______MOS场效应管相似。结型场效应管的输出特性也有三个工作区域:______、______和______。

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